单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedPanjit International Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A（Ta）45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 20A，10V80 毫欧 @ 3.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（最小）2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.7 nC @ 4.5 V39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
568 pF @ 15 V2256 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）63W（Tc）
供应商器件封装
SOT-23-3TO-252
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZXMN3B14FTA
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Diodes Incorporated
43,137
现货
102,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.86650
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.9A（Ta）
2.5V，4.5V
80 毫欧 @ 3.1A，4.5V
700mV @ 250µA（最小）
6.7 nC @ 4.5 V
±12V
568 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PJD45N06A_L2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
55
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.23320
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
45A（Tc）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
2256 pF @ 25 V
-
63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。