单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.8A（Tc）10.8A（Ta），46.9A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17 毫欧 @ 10A，10V195 毫欧 @ 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V34.8 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
864 pF @ 30 V1055 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），32.1W（Tc）3.2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-252（DPAK）TO-252AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252
SUD09P10-195-GE3
MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Vishay Siliconix
18,252
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.82959
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
8.8A（Tc）
4.5V，10V
195 毫欧 @ 3.6A，10V
2.5V @ 250µA
34.8 nC @ 10 V
±20V
1055 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），32.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252 D-Pak Top
DMTH6016LK3-13
MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
Diodes Incorporated
3,007
现货
30,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.33862
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10.8A（Ta），46.9A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。