单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.9 毫欧 @ 50A，10V65 毫欧 @ 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 34µA4V @ 1.04mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29 nC @ 4.5 V39 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1600 pF @ 30 V4900 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
79W（Tc）83W（Tc）
供应商器件封装
PG-TO252-3-311PG-TO252-3-313
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IPD079N06L3GATMA1
IPD079N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Infineon Technologies
4,989
现货
1 : ¥8.70000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.59133
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
7.9 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 34µA
29 nC @ 4.5 V
±20V
4900 pF @ 30 V
-
79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-311
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD650P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Infineon Technologies
11,010
现货
1 : ¥12.15000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.01294
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
22A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 22A，10V
4V @ 1.04mA
39 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。