单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
-HiPerFET™, Ultra X3
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
300 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）38A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 19A，10V750 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2240 pF @ 25 V4700 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
240W（Tc）300W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-247（IXTH）TO-263HV
封装/外壳
TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH11P50
MOSFET P-CH 500V 11A TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥88.91000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
11A（Tc）
10V
750 毫欧 @ 5.5A，10V
5V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
TO-263AB
IXFA38N30X3
MOSFET N-CH 300V 38A TO263
Littelfuse Inc.
0
现货
3,800
工厂
查看交期
1 : ¥50.74000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
38A（Tc）
10V
50 毫欧 @ 19A，10V
4.5V @ 1mA
35 nC @ 10 V
±20V
2240 pF @ 25 V
-
240W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263HV
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。