单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA（Ta）5.9A（Ta）8.8A（Ta），19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V2V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 8.5A，10V29 毫欧 @ 5A，4.5V3 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.4V @ 250µA2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.7 nC @ 4.5 V8.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14.1 pF @ 15 V532 pF @ 10 V600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）1.4W（Ta）2.1W（Ta）
供应商器件封装
6-PQFN（2x2）（DFN2020）SOT-23-3SOT-523
封装/外壳
6-PowerVDFNSOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-PowerVDFN
IRFHS8342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Infineon Technologies
70,246
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.37350
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.8A（Ta），19A（Tc）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 8.5A，10V
2.35V @ 25µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 25 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
SOT-523
DMN26D0UT-7
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Diodes Incorporated
70,223
现货
1,467,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.44806
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
230mA（Ta）
1.2V，4.5V
3 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±10V
14.1 pF @ 15 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
DMN2050L-7
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
Diodes Incorporated
5,668
现货
1,851,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99221
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.9A（Ta）
2V，4.5V
29 毫欧 @ 5A，4.5V
1.4V @ 250µA
6.7 nC @ 4.5 V
±12V
532 pF @ 10 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。