单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
8 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.7A（Ta）41A（Ta），235A（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.3 毫欧 @ 50A，10V3.7 毫欧 @ 40A，10V52 毫欧 @ 3.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.4V @ 200µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 4.5 V27 nC @ 10 V65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1173 pF @ 4 V2500 pF @ 20 V4300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
630mW（Ta），86W（Tc）960mW（Ta）3.8W（Ta），128W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-TSON Advance（3.1x3.1）SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR2101PT1G
MOSFET P-CH 8V SOT23-3
onsemi
36,096
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84479
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
3.7A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 3.5A，4.5V
1V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±8V
1173 pF @ 4 V
-
960mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C426NT1G
MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
onsemi
3,316
现货
1 : ¥15.43000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.31811
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
41A（Ta），235A（Tc）
10V
1.3 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），128W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
17,483
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.21271
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
80A（Tc）
4.5V，10V
3.7 毫欧 @ 40A，10V
2.4V @ 200µA
27 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 20 V
-
630mW（Ta），86W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。