单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Littelfuse Inc.onsemiSTMicroelectronics
系列
DepletionSuperMESH5™UltraFRFET™, Unifet™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
500 V800 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Tc）2A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 欧姆 @ 1A，10V4.5 欧姆 @ 1A，10V16 欧姆 @ 500mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100µA5.5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3 nC @ 10 V9.1 nC @ 10 V47 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V±25V30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
95 pF @ 100 V476 pF @ 25 V3090 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
2W（Tc）45W（Tc）290W（Tc）
供应商器件封装
DPAKSOT-223（TO-261）TO-263HV
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263AB
IXTA1N170DHV
MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Littelfuse Inc.
295
现货
1 : ¥177.00000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1700 V
1A（Tc）
10V
16 欧姆 @ 500mA，0V
-
47 nC @ 5 V
±20V
3090 pF @ 25 V
耗尽模式
290W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263HV
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
MFG_DPAK(TO252-3)
STD2N80K5
MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
STMicroelectronics
5,907
现货
1 : ¥12.15000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.02200
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
2A（Tc）
10V
4.5 欧姆 @ 1A，10V
5V @ 100µA
3 nC @ 10 V
30V
95 pF @ 100 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-223 (TO-261)
FDT4N50NZU
POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
onsemi
3,774
现货
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
4,000 : ¥4.41534
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
2A（Tc）
10V
3 欧姆 @ 1A，10V
5.5V @ 250µA
9.1 nC @ 10 V
±25V
476 pF @ 25 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。