单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-π-MOSIV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）350mA（Ta）1.6A（Ta）4.3A（Ta）12A（Ta），36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 10A，10V50 毫欧 @ 6A，10V175 毫欧 @ 300mA，4.5V2.8 欧姆 @ 250mA，10V4 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA2V @ 25µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 10 V9.7 nC @ 10 V11.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7.8 pF @ 3 V23.2 pF @ 25 V38 pF @ 10 V620 pF @ 25 V642 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）350mW（Ta）480mW（Ta）1.38W（Ta）3.8W（Ta），37W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
供应商器件封装
LFPAK4（5x6）S-MiniSOT-23-3
封装/外壳
SOT-1023，4-LFPAKTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
416,749
现货
207,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31826
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
350mA（Ta）
2.5V，10V
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3056L-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
91,956
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87256
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.3A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 6A，10V
2.1V @ 250µA
11.8 nC @ 10 V
±25V
642 pF @ 25 V
-
1.38W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
45,208
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32439
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
4 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
7.8 pF @ 3 V
-
200mW（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
S-Mini
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2310U-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
6,979
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28804
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.6A（Ta）
1.8V，4.5V
175 毫欧 @ 300mA，4.5V
950mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
38 pF @ 10 V
-
480mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 1023
NVMYS014N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
onsemi
10,156
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.06040
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta），36A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 25µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK4（5x6）
SOT-1023，4-LFPAK
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。