单 FET,MOSFET

结果 : 9
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronics
系列
OptiMOS™PowerTrench®STripFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A(Tc)80A(Tc)90A(Tc)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.5 毫欧 @ 100A,10V3.5 毫欧 @ 90A,10V3.8 毫欧 @ 40A,10V3.8 毫欧 @ 90A,10V4.2 毫欧 @ 80A,10V4.6 毫欧 @ 90A,10V5.7 毫欧 @ 80A,10V6.3 毫欧 @ 90A,10V9 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 40µA2.2V @ 60µA2.2V @ 90µA4V @ 250µA4V @ 34µA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
47.1 nC @ 10 V52 nC @ 10 V55 nC @ 10 V75 nC @ 10 V88 nC @ 10 V110 nC @ 10 V128 nC @ 10 V170 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2520 pF @ 30 V3100 pF @ 30 V3785 pF @ 25 V4840 pF @ 40 V5680 pF @ 25 V8180 pF @ 25 V10400 pF @ 25 V13000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
71W(Tc)79W(Tc)107W(Tc)134W(Tc)150W(Tc)150W(Tj)227W(Tj)
供应商器件封装
DPAKPG-TO252-3-11TO-252(DPAK)TO-252AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果

显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_DPAK(TO252-3)
STD140N6F7
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
STMicroelectronics
5,260
现货
1 : ¥18.88000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.46589
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
80A(Tc)
10V
3.8 毫欧 @ 40A,10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 30 V
-
134W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD50N06S409ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Infineon Technologies
2,290
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.20465
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 34µA
47.1 nC @ 10 V
±20V
3785 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252 DPAK
FDD86367
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
onsemi
34,867
现货
1 : ¥12.40000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.38446
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
100A(Tc)
10V
4.2 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±20V
4840 pF @ 40 V
-
227W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90N06S404ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Infineon Technologies
8,114
现货
1 : ¥17.24000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.22128
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
90A(Tc)
10V
3.8 毫欧 @ 90A,10V
4V @ 90µA
128 nC @ 10 V
±20V
10400 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90N06S4L03ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Infineon Technologies
5,256
现货
1 : ¥17.40000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.85292
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
90A(Tc)
4.5V,10V
3.5 毫欧 @ 90A,10V
2.2V @ 90µA
170 nC @ 10 V
±16V
13000 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD100N06S403ATMA2
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Infineon Technologies
2,794
现货
1 : ¥17.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.03488
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 90µA
128 nC @ 10 V
±20V
10400 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90N06S4L06ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Infineon Technologies
3,377
现货
1 : ¥12.15000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.03312
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
90A(Tc)
4.5V,10V
6.3 毫欧 @ 90A,10V
2.2V @ 40µA
75 nC @ 10 V
±16V
5680 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90N06S4L05ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Infineon Technologies
2,415
现货
1 : ¥12.72000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.34643
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
90A(Tc)
4.5V,10V
4.6 毫欧 @ 90A,10V
2.2V @ 60µA
110 nC @ 10 V
±16V
8180 pF @ 25 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FDD86569-F085
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
onsemi
13,895
现货
1 : ¥11.00000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.55326
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
90A(Tc)
10V
5.7 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±20V
2520 pF @ 30 V
-
150W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 9

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。