单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
HEXFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.2A（Ta），33.7A（Tc）195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 180A，10V15.6 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V540 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1250 pF @ 40 V19860 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3.6W（Ta），39W（Tc）520W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8TO-247AC
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IRFP4468PBF
MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Infineon Technologies
499
现货
1 : ¥61.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
195A（Tc）
10V
2.6 毫欧 @ 180A，10V
4V @ 250µA
540 nC @ 10 V
±20V
19860 pF @ 50 V
-
520W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
PowerPAK 1212-8
SIS128LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Vishay Siliconix
13,587
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.94691
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
10.2A（Ta），33.7A（Tc）
4.5V，10V
15.6 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1250 pF @ 40 V
-
3.6W（Ta），39W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。