单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V38 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）14A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V10V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 14A，20V8 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100µA3.5V @ 250µA
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13 pF @ 5 V3800 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）3.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICEMT3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-75，SOT-416
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
16,291
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.95015
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
38 V
14A（Ta）
10V，20V
10 毫欧 @ 14A，20V
3.5V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±25V
3800 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
2SA2018TL
2SK3019TL
MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Rohm Semiconductor
20,114
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52948
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
8 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13 pF @ 5 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3
SC-75，SOT-416
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。