单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
8 V12 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）4A（Ta）4.3A（Ta）5A（Ta），6A（Tc）5.8A（Tc）6A（Tc）6.1A（Ta），7.5A（Tc）7.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V1.8V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22.7毫欧 @ 5A，10V28 毫欧 @ 5A，4.5V30 毫欧 @ 5.3A，4.5V31 毫欧 @ 4A，4.5V35 毫欧 @ 4.4A，4.5V35 毫欧 @ 5.1A，4.5V50 毫欧 @ 4.3A，4.5V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 5 V15.8 nC @ 4.5 V25 nC @ 4.5 V25.2 nC @ 10 V29 nC @ 4.5 V30 nC @ 8 V35 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±5V±8V+16V，-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V830 pF @ 10 V960 pF @ 4 V980 pF @ 15 V1225 pF @ 6 V1275 pF @ 6 V1357 pF @ 10 V1485 pF @ 4 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）800mW（Ta）960mW（Ta），1.7W（Tc）1.2W（Ta），1.7W（Tc）1.25W（Ta），2.5W（Tc）1.3W（Ta）1.3W（Ta），2.5W（Tc）2.5W（Tc）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
97,076
现货
1 : ¥1.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.24725
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
109,715
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
41,079
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10687
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
6A（Tc）
1.5V，4.5V
28 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
35 nC @ 8 V
±8V
1275 pF @ 6 V
-
1.2W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
56,204
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
5.8A（Tc）
1.8V，4.5V
35 毫欧 @ 4.4A，4.5V
1V @ 250µA
30 nC @ 8 V
±8V
960 pF @ 4 V
-
960mW（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2329DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
21,512
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
6A（Tc）
1.2V，4.5V
30 毫欧 @ 5.3A，4.5V
800mV @ 250µA
29 nC @ 4.5 V
±5V
1485 pF @ 4 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2333CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
17,801
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.65846
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
7.1A（Tc）
1.8V，4.5V
35 毫欧 @ 5.1A，4.5V
1V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
1225 pF @ 6 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23(TO-236)
SI2333DDS-T1-BE3
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
5,151
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10687
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
5A（Ta），6A（Tc）
1.5V，4.5V
28 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
35 nC @ 8 V
±8V
1275 pF @ 6 V
-
1.2W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP1045U-7
MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Diodes Incorporated
9,562
现货
1,725,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75610
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4A（Ta）
1.8V，4.5V
31 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
15.8 nC @ 4.5 V
±8V
1357 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2393DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Vishay Siliconix
11,718
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07319
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.1A（Ta），7.5A（Tc）
4.5V，10V
22.7毫欧 @ 5A，10V
2.2V @ 250µA
25.2 nC @ 10 V
+16V，-20V
980 pF @ 15 V
-
1.3W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。