单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A（Ta），2.2A（Tc）4.2A（Ta）9.3A（Ta）32.4A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V1.8V，4.5V6V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.05 毫欧 @ 10A，10V10 毫欧 @ 9.7A，4.5V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V270 毫欧 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250µA900mV @ 250µA3.6V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.2 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V50.6 nC @ 8 V87 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
500 pF @ 40 V808 pF @ 15 V2426 pF @ 10 V4030 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
680mW（Ta）760mW（Ta），2.5W（Tc）1.4W（Ta）5.4W（Ta），83.3W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SC-59-3SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2305UX-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
164,174
现货
2,766,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52630
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SIR180DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK
Vishay Siliconix
2,367
现货
1 : ¥14.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.40190
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
32.4A（Ta），60A（Tc）
7.5V，10V
2.05 毫欧 @ 10A，10V
3.6V @ 250µA
87 nC @ 10 V
±20V
4030 pF @ 30 V
-
5.4W（Ta），83.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SC-59-3
DMN1019USN-7
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Diodes Incorporated
8,150
现货
609,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.96826
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
9.3A（Ta）
1.2V，2.5V
10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
800mV @ 250µA
50.6 nC @ 8 V
±8V
2426 pF @ 10 V
-
680mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23(TO-236)
SI2337DS-T1-BE3
P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
6,315
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28236
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
1.2A（Ta），2.2A（Tc）
6V，10V
270 毫欧 @ 1.2A，10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 40 V
-
760mW（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。