单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V50 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA(Ta)10.3A(Ta)300A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 毫欧 @ 150A,10V13 毫欧 @ 10A,10V10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA3V @ 250µA3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
68.6 nC @ 10 V211 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
45 pF @ 25 V3426 pF @ 20 V16000 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)1W(Ta)375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-HSOF-8-1POWERDI3333-8SOT-323
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerVDFNSC-70,SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS84W-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
353,846
现货
7,722,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57291
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
PowerDI3333-8
DMP4013LFG-7
MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Diodes Incorporated
58,483
现货
106,000
工厂
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.76880
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
10.3A(Ta)
4.5V,10V
13 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
68.6 nC @ 10 V
±20V
3426 pF @ 20 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
x-xSOF-8-1
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
22,145
现货
1 : ¥49.92000
剪切带(CT)
2,000 : ¥26.53364
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
300A(Tc)
6V,10V
1.5 毫欧 @ 150A,10V
3.8V @ 250µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。