单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
NexFET™U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.1 毫欧 @ 19A，10V28 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 100µA3.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.4 nC @ 4.5 V62 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
436 pF @ 15 V4870 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）3.1W（Ta），195W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）SOT-23F
封装/外壳
8-PowerTDFNSOT-23-3 扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD19502Q5B
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Texas Instruments
4,949
现货
1 : ¥20.94000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.45119
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Ta）
6V，10V
4.1 毫欧 @ 19A，10V
3.3V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4870 pF @ 40 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
54,707
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79515
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 100µA
3.4 nC @ 4.5 V
±20V
436 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。