单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Microchip Technologyonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）袋
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
16.5 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）500mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2V，5V2.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 欧姆 @ 10mA，4V1.5 欧姆 @ 300mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.4V @ 250µA
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21 pF @ 5 V250 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
690mW（Ta）1W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）TO-92
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NVR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
onsemi
26,772
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.51740
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
LP0701N3-G
MOSFET P-CH 16.5V 500MA TO92
Microchip Technology
147
现货
1 : ¥16.09000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
16.5 V
500mA（Tj）
2V，5V
1.5 欧姆 @ 300mA，5V
1V @ 1mA
-
±10V
250 pF @ 15 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。