单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™HEXFET®OptiMOS™TrenchFET® Gen IVU-MOSVIII-HUltraFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta），56A（Tc）15A（Ta），70A（Tc）17A（Ta），71A（Tc）17A（Tc）21A（Ta），34A（Tc）23.8A（Ta），80.3A（Tc）28A（Tc）30A（Ta），100A（Tc）30A（Ta），34A（Tc）31A（Ta），85A（Tc）33A（Ta），85A（Tc）34A（Ta），85A（Tc）47A（Tc）75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V8V，10V10V10V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 50A，10V2.4 毫欧 @ 20A，10V3.1 毫欧 @ 20A，10V3.3 毫欧 @ 20A，10V3.5 毫欧 @ 20A，10V4.4 毫欧 @ 15A，10V6 毫欧 @ 20A，20V6.1 毫欧 @ 35A，10V6.2 毫欧 @ 20A，10V7.8 毫欧 @ 20A，10V9.4 毫欧 @ 24A，10V11.4 毫欧 @ 8.5A，10V14 毫欧 @ 75A，10V31 毫欧 @ 34A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 14µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 200µA2.5V @ 250µA2.8V @ 95µA3.3V @ 250µA3.5V @ 250µA3.8V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.4 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V23 nC @ 10 V35 nC @ 10 V45 nC @ 10 V48 nC @ 10 V50 nC @ 10 V51 nC @ 10 V55 nC @ 10 V70 nC @ 10 V71 nC @ 10 V86 nC @ 10 V120 nC @ 10 V238 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1300 pF @ 30 V1400 pF @ 25 V1650 pF @ 30 V1835 pF @ 15 V1980 pF @ 30 V2000 pF @ 30 V2300 pF @ 50 V2710 pF @ 30 V2808 pF @ 20 V2830 pF @ 15 V3780 pF @ 20 V3790 pF @ 25 V4646 pF @ 40 V5200 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta），34W（Tc）2.5W（Ta），139W（Tc）2.5W（Ta），90W（Tc）3.6W（Ta），156W（Tc）3.6W（Ta），61W（Tc）5W（Ta），28W（Tc）5W（Ta），30W（Tc）5W（Ta），43W（Tc）5W（Ta），57W（Tc）6.2W（Ta），48W（Tc）6.2W（Ta），78W（Tc）7.4W（Ta），208W（Tc）36W（Tc）78W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-DFN-EP（3x3）8-DFN（5x6）8-PQFN（5x6）8-SOP Advance（5x5）PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-6PowerPAK® SO-8TO-252（DPAK）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFN8-PowerTDFN，5 引线8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AONR21357
MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
17,137
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.99255
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），34A（Tc）
4.5V，10V
7.8 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
2830 pF @ 15 V
-
5W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C670NLT1G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
onsemi
18,594
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.25108
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
17A（Ta），71A（Tc）
4.5V，10V
6.1 毫欧 @ 35A，10V
2V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
3.6W（Ta），61W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
PowerPAK SO-8 Single
SIR186LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
3,817
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
23.8A（Ta），80.3A（Tc）
4.5V，10V
4.4 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1980 pF @ 30 V
-
5W（Ta），57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
33,096
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.40654
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
17A（Tc）
4.5V，10V
11.4 毫欧 @ 8.5A，10V
2.5V @ 200µA
23 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 30 V
-
1.6W（Ta），34W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
TO-252, (D-Pak)
AOD403
MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
95,354
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.07462
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta），70A（Tc）
10V，20V
6 毫欧 @ 20A，20V
3.5V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±25V
5300 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），90W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
29,664
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.61395
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
4.5V，10V
2.4 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
3780 pF @ 20 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
8-Power TDFN
BSC094N06LS5ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
Infineon Technologies
2,890
现货
1 : ¥14.78000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.80212
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
47A（Tc）
4.5V，10V
9.4 毫欧 @ 24A，10V
2.3V @ 14µA
9.4 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
8-PowerTDFN
BSC016N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Infineon Technologies
24,122
现货
1 : ¥20.77000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.02266
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
1.6 毫欧 @ 50A，10V
2.8V @ 95µA
71 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
8-DFN
AON6278
MOSFET N-CH 80V 34A/85A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
16,771
现货
1 : ¥21.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.52838
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
34A（Ta），85A（Tc）
6V，10V
3.3 毫欧 @ 20A，10V
3.3V @ 250µA
86 nC @ 10 V
±20V
4646 pF @ 40 V
-
7.4W（Ta），208W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
8-DFN
AONR36366
MOSFET N-CH 30V 30A/34A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
15,281
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.62521
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30A（Ta），34A（Tc）
4.5V，10V
3.5 毫欧 @ 20A，10V
2.1V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1835 pF @ 15 V
-
5W（Ta），28W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
8-DFN
AON7262E
MOSFET N-CH 60V 21A/34A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
20,512
现货
1 : ¥7.80000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.06137
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
21A（Ta），34A（Tc）
4.5V，10V
6.2 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1650 pF @ 30 V
-
5W（Ta），43W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
IRFH5015TRPBF
MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Infineon Technologies
7,712
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
4,000 : ¥7.03270
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
10A（Ta），56A（Tc）
10V
31 毫欧 @ 34A，10V
5V @ 150µA
50 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 50 V
-
3.6W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
2,955
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.76121
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
31A（Ta），85A（Tc）
8V，10V
3.5 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2710 pF @ 30 V
-
6.2W（Ta），78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
TO-263
HUFA75645S3S
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
onsemi
2,497
现货
1 : ¥38.75000
剪切带（CT）
800 : ¥23.37916
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
75A（Tc）
10V
14 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 250µA
238 nC @ 20 V
±20V
3790 pF @ 25 V
-
310W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
0
现货
查看交期
3,000 : ¥2.39863
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
-
-
-
28A（Tc）
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
0
现货
查看交期
3,000 : ¥3.29687
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
33A（Ta），85A（Tc）
4.5V，10V
3.1 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
2808 pF @ 20 V
-
6.2W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。