单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.1A（Ta）52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 3.5A，10V75 毫欧 @ 4.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19.8 nC @ 10 V108 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
839 pF @ 15 V4586 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.15W（Ta）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8TSOT-26
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SO-8L
SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
34,568
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.76620
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
52A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 3.5A，10V
2.5V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
4586 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TSOT-26
DMP3105LVT-7
MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
Diodes Incorporated
27,570
现货
123,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57387
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.1A（Ta）
2.5V，10V
75 毫欧 @ 4.2A，10V
1.5V @ 250µA
19.8 nC @ 10 V
±12V
839 pF @ 15 V
-
1.15W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。