单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedEPCSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-eGaN®STripFET™ F7TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V80 V170 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Tc）3.8A（Ta）8A（Tc）24A（Ta）60A（Tc）180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 90A，10V3 毫欧 @ 10A，10V9 毫欧 @ 10A，5V24 毫欧 @ 12A，10V65 毫欧 @ 3.8A，10V170 毫欧 @ 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA2.5V @ 3mA3.5V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.2 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 10 V7.4 nC @ 5 V14.5 nC @ 10 V105 nC @ 10 V193 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
210 pF @ 25 V540 pF @ 15 V563 pF @ 25 V836 pF @ 85 V5000 pF @ 25 V13600 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1.08W（Ta）1.9W（Tc）3W（Tc）68W（Tc）315W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
H2PAK-6PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）模具
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
显示
/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
290,158
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49040
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
EPC
27,284
现货
1 : ¥27.26000
剪切带（CT）
2,500 : ¥13.26373
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
170 V
24A（Ta）
5V
9 毫欧 @ 10A，5V
2.5V @ 3mA
7.4 nC @ 5 V
+6V，-4V
836 pF @ 85 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
SOT-23-3
SQ2303ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Vishay Siliconix
15,163
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.42120
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.5A（Tc）
4.5V，10V
170 毫欧 @ 1.8A，10V
2.5V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
210 pF @ 25 V
-
1.9W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SO-8L
SQJA46EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
14,498
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.76620
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A（Tc）
10V
3 毫欧 @ 10A，10V
3.5V @ 250µA
105 nC @ 10 V
±20V
5000 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
H2PAK-2
STH275N8F7-6AG
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
STMicroelectronics
1,938
现货
1 : ¥52.62000
剪切带（CT）
1,000 : ¥27.20696
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
180A（Tc）
10V
2.1 毫欧 @ 90A，10V
4.5V @ 250µA
193 nC @ 10 V
±20V
13600 pF @ 50 V
-
315W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-6
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
SOT-23-3
SQ2348ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Vishay Siliconix
1,283
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。