单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip TechnologyonsemiTexas Instruments
系列
-HEXFET®NexFET™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
6 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）3.3A（Ta），16A（Tc）42A（Tc）44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15.1 毫欧 @ 10A，10V36 毫欧 @ 22A，10V84 毫欧 @ 100mA，4.5V110 毫欧 @ 3.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA3.4V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 10 V22 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
6V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
880 pF @ 50 V1680 pF @ 50 V1900 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
270mW（Ta）2.3W（Ta），35W（Tc）3.2W（Ta），63W（Tc）3.8W（Ta），160W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）8-WDFN（3.3x3.3）D2PAKSC-70-6
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-PowerTDFN8-PowerWDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD19534Q5A
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Texas Instruments
9,099
现货
1 : ¥8.29000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.42950
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
44A（Tc）
6V，10V
15.1 毫欧 @ 10A，10V
3.4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1680 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
SOT-363
MIC94053YC6-TR
MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6
Microchip Technology
4,330
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.13113
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
6 V
2A（Ta）
1.8V，4.5V
84 毫欧 @ 100mA，4.5V
1.2V @ 250µA
-
6V
-
-
270mW（Ta）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF1310NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Infineon Technologies
9,415
现货
1 : ¥16.67000
剪切带（CT）
800 : ¥9.33640
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
42A（Tc）
10V
36 毫欧 @ 22A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），160W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
488~511DY~~8-Top
FDMC3612-L701
POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
onsemi
2,000
现货
1 : ¥7.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.16918
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.3A（Ta），16A（Tc）
6V，10V
110 毫欧 @ 3.3A，10V
4V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 50 V
-
2.3W（Ta），35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。