单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
25 V30 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
680mA（Ta）1.6A（Ta）2.8A（Tc）5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V2.7V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29 毫欧 @ 5A，4.5V100 毫欧 @ 1.2A，10V450 毫欧 @ 500mA，4.5V3 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 10µA1.5V @ 250µA2.4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.3 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 4.5 V8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V140 pF @ 5 V331 pF @ 25 V650 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）420mW（Ta）1.3W（Ta）57W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-252（DPAK）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
onsemi
199,034
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59365
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
680mA（Ta）
2.7V，4.5V
450 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6344TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
126,990
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02907
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Ta）
2.5V，4.5V
29 毫欧 @ 5A，4.5V
1.1V @ 10µA
6.8 nC @ 4.5 V
±12V
650 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
MGSF1N03LT1G
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
onsemi
24,243
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.27564
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.6A（Ta）
4.5V，10V
100 毫欧 @ 1.2A，10V
2.4V @ 250µA
-
±20V
140 pF @ 5 V
-
420mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252, (D-Pak)
AOD3N50
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
8,627
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.04418
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
2.8A（Tc）
10V
3 欧姆 @ 1.5A，10V
4.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±30V
331 pF @ 25 V
-
57W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。