单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)14A(Ta),44A(Tc)104A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V3V,8V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.5 毫欧 @ 10A,4.5V10.3 毫欧 @ 10A,8V3.5 欧姆 @ 220mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.15V @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.1 nC @ 4.5 V14.1 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
+10V,-8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 10 V700 pF @ 15 V2120 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)2.7W(Ta)2.8W(Ta),96W(Tc)
供应商器件封装
8-VSON-CLIP(3.3x3.3)8-VSONP(3x3.3)SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNSC-70,SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
748,177
现货
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.40362
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
CSD1632x Series 8-SON
CSD17308Q3
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Texas Instruments
29,405
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.85948
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14A(Ta),44A(Tc)
3V,8V
10.3 毫欧 @ 10A,8V
1.8V @ 250µA
5.1 nC @ 4.5 V
+10V,-8V
700 pF @ 15 V
-
2.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD25404Q3T
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Texas Instruments
8,704
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
250 : ¥4.82540
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
104A(Tc)
1.8V,4.5V
6.5 毫欧 @ 10A,4.5V
1.15V @ 250µA
14.1 nC @ 4.5 V
±12V
2120 pF @ 10 V
-
2.8W(Ta),96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSONP(3x3.3)
8-PowerVDFN
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。