单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-SIPMOS®TrenchFET®U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）600mA（Ta）2A（Tj）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
36 毫欧 @ 4A，10V280 毫欧 @ 2A，10V480 毫欧 @ 600mA，10V14 欧姆 @ 100µA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 56µA2V @ 250µA2.5V @ 100µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 10 V3.5 nC @ 5 V4.8 nC @ 4.5 V9.3 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
76 pF @ 25 V520 pF @ 15 V550 pF @ 10 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
280mW（Ta）360mW（Ta）1.2W2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
6-UDFNB（2x2）PG-SOT23SC-70-3SOT-23
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23
SI2324A-TP
MOSFET N-CH 100V 2A SOT23
Micro Commercial Co
171,578
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71245
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
2A（Tj）
4.5V，10V
280 毫欧 @ 2A，10V
2V @ 250µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
520 pF @ 15 V
-
1.2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS139H6327XTSA1
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Infineon Technologies
111,888
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.25364
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
100mA（Ta）
0V，10V
14 欧姆 @ 100µA，10V
1V @ 56µA
3.5 nC @ 5 V
±20V
76 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
Pkg 5549
SI1302DL-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Vishay Siliconix
63,903
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16191
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
600mA（Ta）
4.5V，10V
480 毫欧 @ 600mA，10V
3V @ 250µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
-
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3
SC-70，SOT-323
18,069
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.33130
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4V，10V
36 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
2.5W（Ta）
150°C
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。