单 FET,MOSFET

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronics
系列
-HEXFET®OptiMOS™STripFET™ F7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A(Ta),78A(Tc)50A(Tc)90A(Tc)200A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V7V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.1 毫欧 @ 90A,10V3.2 毫欧 @ 90A,10V3.8 毫欧 @ 90A,10V4.1 毫欧 @ 90A,10V4.3 毫欧 @ 90A,10V4.5 毫欧 @ 35A,10V5.8 毫欧 @ 25A,10V6.8 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.2V @ 35µA2.5V @ 100µA3.4V @ 13µA4V @ 35µA4V @ 53µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18 nC @ 10 V23 nC @ 10 V43 nC @ 10 V49 nC @ 4.5 V60 nC @ 10 V66.8 nC @ 10 V141 nC @ 10 V176 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V+20V,-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1090 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V3440 pF @ 25 V3779 pF @ 50 V4690 pF @ 25 V5260 pF @ 25 V11500 pF @ 25 V11570 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
3.6W(Ta),50W(Tc)42W(Tc)71W(Tc)94W(Tc)125W(Tc)143W(Tc)365W(Tc)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)H2PAK-2PG-TDSON-8-33PG-TO252-3-313TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRLR3636TRPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Infineon Technologies
15,445
现货
1 : ¥15.52000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.98088
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
4.5V,10V
6.8 毫欧 @ 50A,10V
2.5V @ 100µA
49 nC @ 4.5 V
±16V
3779 pF @ 50 V
-
143W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C460NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
onsemi
1,506
现货
141,000
工厂
1 : ¥14.37000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.80729
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
21A(Ta),78A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 35A,10V
2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
H2PAK
STH410N4F7-2AG
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
STMicroelectronics
1,253
现货
1 : ¥50.16000
剪切带(CT)
1,000 : ¥25.91195
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
200A(Tc)
10V
1.1 毫欧 @ 90A,10V
4.5V @ 250µA
141 nC @ 10 V
±20V
11500 pF @ 25 V
-
365W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8-Power TDFN
IPC50N04S55R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Infineon Technologies
9,560
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.10017
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
7V,10V
5.8 毫欧 @ 25A,10V
3.4V @ 13µA
18 nC @ 10 V
±20V
1090 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-33
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD90N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
2,499
现货
1 : ¥11.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.71075
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
10V
4.1 毫欧 @ 90A,10V
4V @ 35µA
43 nC @ 10 V
±20V
3440 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
9,931
现货
1 : ¥12.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.73688
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
10V
3.2 毫欧 @ 90A,10V
4V @ 53µA
66.8 nC @ 10 V
±20V
5260 pF @ 25 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90N04S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥11.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.71075
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
4.5V,10V
3.8 毫欧 @ 90A,10V
2.2V @ 35µA
60 nC @ 10 V
+20V,-16V
4690 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90P04P4L04ATMA1
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥20.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.38390
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 90A,10V
2.2V @ 250µA
176 nC @ 10 V
±16V
11570 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 8

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。