单 FET，MOSFET

结果 : 15
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip TechnologyonsemiQorvoSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ P7CoolSiC™EMDmesh™ V
技术
MOSFET（金属氧化物）SiC（碳化硅结晶体管）SiCFET（共源共栅 SiCJFET）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
600 V650 V700 V750 V900 V1200 V2000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
46A（Tc）98A（Tc）99A（Tc）100A（Tc）101A（Tc）106A（Tc）109A（Tc）116A（Tc）123A（Tc）127A（Tc）131A（Tc）138A（Tc）142A（Tc）163A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V12V15V，18V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.5 毫欧 @ 70A，12V15 毫欧 @ 69A，10V16.5 毫欧 @ 60A，18V17 毫欧 @ 58.2A，10V18 毫欧 @ 75A，18V18.4 毫欧 @ 54.3A，18V19 毫欧 @ 40A，20V21 毫欧 @ 50A，18V23 毫欧 @ 25A，10V24毫欧 @ 42.4A，10V26.9 毫欧 @ 41A，18V28 毫欧 @ 60A，15V35 毫欧 @ 53A，10V45 毫欧 @ 24.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA3.5V @ 3.4mA4V @ 1.25mA4V @ 2.03mA4V @ 2.91mA4.3V @ 20mA4.3V @ 25mA5V @ 11.7mA5V @ 250µA5.2V @ 17.6mA5.2V @ 23.4mA5.5V @ 10mA5.5V @ 48mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
75 nC @ 15 V93 nC @ 10 V109 nC @ 18 V128 nC @ 18 V145 nC @ 18 V164 nC @ 10 V196 nC @ 15 V215 nC @ 20 V228 nC @ 10 V240 nC @ 10 V246 nC @ 18 V283 nC @ 18 V308 nC @ 10 V414 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-5V+20V，-7V±20V+22V，-8V+25V，-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3340 pF @ 400 V3460 pF @ 800 V4340 pF @ 400 V4415 pF @ 450 V4500 pF @ 700 V4580 pF @ 800 V4790 pF @ 325 V4850 pF @ 400 V7144 pF @ 400 V7612 pF @ 100 V8390 pF @ 25 V9890 pF @ 400 V18500 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
227W（Tc）291W（Tc）342W（Tc）375W（Tc）400W（Tc）446W（Tc）455W（Tc）484W（Tc）500W（Tc）524W（Tc）552W（Tc）625W（Tc）643W（Tc）833W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）175°C
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
MAX247™PG-TO247PG-TO247-3PG-TO247-3-41PG-TO247-4-U04T-MAX™ [B2]TO-247TO-247-3TO-247-4TO-247-4LTO-247AC
封装/外壳
TO-247-3TO-247-3 变式TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
显示
/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IPW60R024P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Infineon Technologies
208
现货
1 : ¥91.21000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
101A（Tc）
10V
24毫欧 @ 42.4A，10V
4V @ 2.03mA
164 nC @ 10 V
±20V
7144 pF @ 400 V
-
291W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
SIHG018N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Vishay Siliconix
925
现货
1 : ¥135.87000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
99A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 25A，10V
5V @ 250µA
228 nC @ 10 V
±30V
7612 pF @ 100 V
-
524W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
606
现货
1 : ¥160.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
109A（Tc）
10V
17 毫欧 @ 58.2A，10V
4V @ 2.91mA
240 nC @ 10 V
±20V
9890 pF @ 400 V
-
446W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
148
现货
1 : ¥191.86000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
98A（Tc）
15V，18V
26.9 毫欧 @ 41A，18V
5.2V @ 17.6mA
109 nC @ 18 V
+20V，-5V
3460 pF @ 800 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-4
NTH4L015N065SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
onsemi
130
现货
1 : ¥223.06000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
142A（Tc）
15V，18V
18 毫欧 @ 75A，18V
4.3V @ 25mA
283 nC @ 18 V
+22V，-8V
4790 pF @ 325 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-3
NTHL015N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
onsemi
157
现货
1 : ¥224.54000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
163A（Tc）
15V，18V
18 毫欧 @ 75A，18V
4.3V @ 25mA
283 nC @ 18 V
+22V，-8V
4790 pF @ 325 V
-
643W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
144
现货
1 : ¥271.91000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
127A（Tc）
15V，18V
18.4 毫欧 @ 54.3A，18V
5.2V @ 23.4mA
145 nC @ 18 V
+20V，-5V
4580 pF @ 800 V
-
455W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3
MSC015SMA070B
SICFET N-CH 700V 131A TO247-3
Microchip Technology
262
现货
1 : ¥293.58000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
700 V
131A（Tc）
20V
19 毫欧 @ 40A，20V
2.4V @ 1mA
215 nC @ 20 V
+25V，-10V
4500 pF @ 700 V
-
400W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4L
UJ4SC075009K4S
750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Qorvo
535
现货
1 : ¥343.83000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
750 V
106A（Tc）
12V
11.5 毫欧 @ 70A，12V
5.5V @ 10mA
75 nC @ 15 V
±20V
3340 pF @ 400 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
201
现货
1 : ¥939.28000
管件
管件
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
2000 V
123A（Tc）
15V，18V
16.5 毫欧 @ 60A，18V
5.5V @ 48mA
246 nC @ 18 V
+20V，-7V
-
-
552W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
TO-247-4
IPZ65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Infineon Technologies
225
现货
1 : ¥90.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
46A（Tc）
10V
45 毫欧 @ 24.9A，10V
4V @ 1.25mA
93 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247
TO-247-4
TW015N65C,S1F
TW015N65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Toshiba Semiconductor and Storage
52
现货
1 : ¥411.89000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
100A（Tc）
18V
21 毫欧 @ 50A，18V
5V @ 11.7mA
128 nC @ 18 V
+25V，-10V
4850 pF @ 400 V
-
342W（Tc）
175°C
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
T-MAX Pkg
APT106N60B2C6
MOSFET N-CH 600V 106A T-MAX
Microchip Technology
32
现货
1 : ¥136.20000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
106A（Tc）
10V
35 毫欧 @ 53A，10V
3.5V @ 3.4mA
308 nC @ 10 V
±20V
8390 pF @ 25 V
-
833W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
T-MAX™ [B2]
TO-247-3 变式
TO-247-3 Max EP
STY145N65M5
MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥299.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
138A（Tc）
10V
15 毫欧 @ 69A，10V
5V @ 250µA
414 nC @ 10 V
±25V
18500 pF @ 100 V
-
625W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
MAX247™
TO-247-3
TO-247-4
NVH4L020N090SC1
SIC MOSFET 900V TO247-4L
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥297.93000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
900 V
116A（Tc）
15V，18V
28 毫欧 @ 60A，15V
4.3V @ 20mA
196 nC @ 15 V
+22V，-8V
4415 pF @ 450 V
-
484W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
/ 15

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。