单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）8A（Tc）23A（Tc）40A（Tc）47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.6 毫欧 @ 20A，10V9 毫欧 @ 16A，10V20 毫欧 @ 8A，10V38 毫欧 @ 10A，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V48 nC @ 10 V50 nC @ 10 V60 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V700 pF @ 25 V1785 pF @ 20 V2000 pF @ 20 V2320 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）2.5W（Ta）4.2W（Ta），36W（Tc）5W（Ta），34.7W（Tc）45W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOPowerPAK® SO-8SOT-23-3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
355,777
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
40,261
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.90658
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Tc）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 8A，10V
1V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2320 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PowerPak SO-8L
SQJ476EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
22,470
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.83110
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
4.5V，10V
38 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR422DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
51,113
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.84826
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
6.6 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1785 pF @ 20 V
-
5W（Ta），34.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7848BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
34,174
现货
1 : ¥13.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.22763
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
47A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 16A，10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 20 V
-
4.2W（Ta），36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。