单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiRohm Semiconductor
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Ta），18A（Tc）40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 40A，10V23 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V25 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1330 pF @ 50 V1580 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
2.3W（Ta），41W（Tc）59W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳
8-PowerVDFN8-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-MLP, Power33
FDMC86102L
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
onsemi
5,532
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.20534
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 50 V
-
2.3W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8-HSMT
RH6G040BGTB1
NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Rohm Semiconductor
5,270
现货
1 : ¥14.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.36328
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 40A，10V
2.5V @ 1mA
25 nC @ 10 V
±20V
1580 pF @ 20 V
-
59W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。