单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Qorvo
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ G7TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）
60 V600 V750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）50A（Tc）72A（Tc）75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 50A，12V23 毫欧 @ 50A，12V28 毫欧 @ 28.8A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA4V @ 1.44mA4.5V @ 3.08mA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V37.8 nC @ 15 V123 nC @ 10 V318 nC @ 12 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V1414 pF @ 400 V4820 pF @ 400 V11987 pF @ 300 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）259W（Tc）391W（Tc）694W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAK-7PG-HDSOP-22-1PG-HSOF-8-2TO-236AB
封装/外壳
8-PowerSFN22-PowerBSOP 模块TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
785,941
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36077
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-HSOF-8-2
IPT60R028G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Infineon Technologies
4,443
现货
1 : ¥112.88000
剪切带（CT）
2,000 : ¥66.51379
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
75A（Tc）
10V
28 毫欧 @ 28.8A，10V
4V @ 1.44mA
123 nC @ 10 V
±20V
4820 pF @ 400 V
-
391W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
UF3C120080B7S
UJ4SC075018B7S
750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Qorvo
2,085
现货
1 : ¥146.30000
剪切带（CT）
800 : ¥86.20295
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
750 V
72A（Tc）
12V
23 毫欧 @ 50A，12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1414 pF @ 400 V
-
259W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IPDQ60R010S7XTMA1
IPDQ60R010S7XTMA1
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥163.79000
剪切带（CT）
750 : ¥117.10936
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
50A（Tc）
12V
10 毫欧 @ 50A，12V
4.5V @ 3.08mA
318 nC @ 12 V
±20V
11987 pF @ 300 V
-
694W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-22-1
22-PowerBSOP 模块
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。