单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-AlphaMOSNexFET™π-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）12A（Ta），35A（Tc）14A（Ta），52A（Tc）25A（Ta），28A（Tc）35A（Ta）60A（Ta）76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V3.3V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 25A，10V3.3 毫欧 @ 20A，10V4.8 毫欧 @ 16A，10V8.9 毫欧 @ 10A，4.5V9.5 毫欧 @ 11.5A，10V11 毫欧 @ 10A，10V700毫欧 @ 200MA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.15V @ 250µA1.2V @ 250µA1.8V @ 100µA1.8V @ 250µA2.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.8 nC @ 4.5 V9.7 nC @ 4.5 V30 nC @ 4.5 V33.7 nC @ 10 V35 nC @ 10 V50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V+16V，-12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 5 V530 pF @ 12.5 V1674 pF @ 15 V1790 pF @ 10 V2250 pF @ 15 V2310 pF @ 15 V4420 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）940mW（Ta）2.8W（Ta），108W（Tc）2.8W（Ta），53W（Tc）2.8W（Ta），69W（Tc）3W（Ta）3.1W（Ta），32W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）8-VSON-CLIP（3.3x3.3）8-VSONP（3x3.3）8-VSONP（5x6）PowerDI3333-8（UX 类）USM
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Texas Instruments
55,159
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.27354
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Ta）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 25A，10V
1.8V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4420 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），108W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD25402Q3A
MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Texas Instruments
50,686
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.98840
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
76A（Tc）
1.8V，4.5V
8.9 毫欧 @ 10A，4.5V
1.15V @ 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
1790 pF @ 10 V
-
2.8W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
8-DFN
AON7524
MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
38,285
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.88060
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Ta），28A（Tc）
2.5V，10V
3.3 毫欧 @ 20A，10V
1.2V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±12V
2250 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），32W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
70,931
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54094
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
400mA（Ta）
3.3V，10V
700毫欧 @ 200MA，10V
1.8V @ 100µA
-
±20V
20 pF @ 5 V
-
150mW（Ta）
150°C
表面贴装型
USM
SC-70，SOT-323
PowerDI3333-8
DMP3013SFV-7
MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Diodes Incorporated
66,138
现货
54,000
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.55818
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta），35A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 11.5A，10V
3V @ 250µA
33.7 nC @ 10 V
±25V
1674 pF @ 15 V
-
940mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerDI3333-8（UX 类）
8-PowerVDFN
8-VSONP
CSD17577Q3A
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Texas Instruments
18,640
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.96145
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
35A（Ta）
4.5V，10V
4.8 毫欧 @ 16A，10V
1.8V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2310 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），53W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
CSD16412Q5A
MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
Texas Instruments
3,473
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.48346
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
14A（Ta），52A（Tc）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 10A，10V
2.3V @ 250µA
3.8 nC @ 4.5 V
+16V，-12V
530 pF @ 12.5 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。