单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

CSD18536KTT MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK Texas Instruments	1,439 现货	1 : ¥36.21000 剪切带（CT） 500 : ¥21.87766 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	200A（Ta）	4.5V，10V	1.6 毫欧 @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	140 nC @ 10 V	±20V	11430 pF @ 30 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	TO-263（DDPAK-3）	TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
TJ200F04M3L,LXHQ MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货查看交期	1 : ¥24.30000 剪切带（CT） 1,000 : ¥12.56560 卷带（TR）	U-MOSVI	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	200A（Ta）	6V，10V	1.8 毫欧 @ 100A，10V	3V @ 1mA	460 nC @ 10 V	+10V，-20V	1280 pF @ 10 V	-	375W（Tc）	175°C	表面贴装型	TO-220SM（W）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB