单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesTexas Instruments
系列
CoolMOS™ G7NexFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A(Ta)18A(Ta),40A(Tc)50A(Ta)75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.7 毫欧 @ 20A,10V4.4 毫欧 @ 8A,10V6.6 毫欧 @ 17A,10V28 毫欧 @ 28.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.3V @ 36µA2.4V @ 250µA4V @ 1.44mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.2 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V47 nC @ 10 V123 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
950 pF @ 15 V1656 pF @ 20 V3100 pF @ 30 V4820 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta)2.1W(Ta),69W(Tc)3.1W(Ta),77W(Tc)391W(Tc)
供应商器件封装
8-VSONP(5x6)PG-HSOF-8-2PG-TSDSON-8-34PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-HSOF-8-2
IPT60R028G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Infineon Technologies
4,495
现货
1 : ¥112.88000
剪切带(CT)
2,000 : ¥66.51379
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
75A(Tc)
10V
28 毫欧 @ 28.8A,10V
4V @ 1.44mA
123 nC @ 10 V
±20V
4820 pF @ 400 V
-
391W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
TSDSON-8
BSZ0589NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Infineon Technologies
9,792
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.93093
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta)
4.5V,10V
4.4 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18504Q5AT
MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON
Texas Instruments
5,124
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
250 : ¥5.99152
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Ta)
4.5V,10V
6.6 毫欧 @ 17A,10V
2.4V @ 250µA
9.2 nC @ 4.5 V
±20V
1656 pF @ 20 V
-
3.1W(Ta),77W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ037N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Infineon Technologies
9,605
现货
1 : ¥13.38000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.35690
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
18A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
3.7 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 36µA
47 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 30 V
-
2.1W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8-34
8-PowerVDFN
显示
/ 4

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。