单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Micro Commercial CoonsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.1A（Ta）14A（Ta），45A（Tc）16.2A（Ta），40.5A（Tc）60A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.7 毫欧 @ 10A，10V7.7 毫欧 @ 15A，10V8 毫欧 @ 20A，10V160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.2V @ 30µA2.4V @ 250µA2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.3 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V25.5 nC @ 10 V97 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
300 pF @ 25 V985 pF @ 15 V1100 pF @ 25 V5235 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）3W（Ta），30W（Tc）3.2W（Ta），19.8W（Tc）110W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
DPAKPowerPAK® 1212-8SOT-23-3
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式PowerPAK® 1212-8TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3422
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,017,214
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86945
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
2.1A（Ta）
2.5V，4.5V
160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
2V @ 250µA
3.3 nC @ 4.5 V
±12V
300 pF @ 25 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
PowerPAK 1212-8
SISA88DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Vishay Siliconix
36,304
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.40650
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
16.2A（Ta），40.5A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
25.5 nC @ 10 V
+20V，-16V
985 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），19.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
MBRD6100CT-TP
MCU60P04-TP
P-CHANNEL MOSFET,DPAK
Micro Commercial Co
18,540
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.13181
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A
4.5V，10V
8 毫欧 @ 20A，10V
2.8V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
5235 pF @ 20 V
-
110W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DPAK
NVD5C478NLT4G
MOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK
onsemi
6,189
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.09860
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
14A（Ta），45A（Tc）
4.5V，10V
7.7 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 30µA
20 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 25 V
-
3W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。