单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）38A（Ta），200A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 50A，10V26 毫欧 @ 51A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V70 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1386 pF @ 15 V4300 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），110W（Tc）56W（Tc）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak® SO-8
SQJ486EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,512
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.94434
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
30A（Tc）
4.5V，10V
26 毫欧 @ 51A，10V
2.1V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1386 pF @ 15 V
-
56W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C430NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
onsemi
0
现货
145,500
工厂
查看交期
1 : ¥21.67000
剪切带（CT）
1,500 : ¥10.29883
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
38A（Ta），200A（Tc）
4.5V，10V
1.4 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 20 V
-
3.8W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。