单 FET,MOSFET

结果 : 4
系列
FemtoFET™NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A(Ta)1.6A(Ta)1.8A(Ta)5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.7 毫欧 @ 2A,4.5V116 毫欧 @ 400mA,4.5V205 毫欧 @ 500mA,8V240 毫欧 @ 500mA,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA1.05V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.959 nC @ 4.5 V1.23 nC @ 4.5 V1.3 nC @ 4.5 V14.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-12V-6V12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
190 pF @ 15 V198 pF @ 10 V234 pF @ 6 V2275 pF @ 4 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)1.7W(Ta)
供应商器件封装
3-PICOSTAR9-DSBGA
封装/外壳
3-XFDFN9-UFBGA,DSBGA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
CSDxxxxF4T
CSD17483F4
MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Texas Instruments
100,741
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64179
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.5A(Ta)
1.8V,4.5V
240 毫欧 @ 500mA,8V
1.1V @ 250µA
1.3 nC @ 4.5 V
12V
190 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
CSDxxxxxF3x
CSD23280F3
MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
Texas Instruments
46,821
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.45116
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
1.8A(Ta)
1.5V,4.5V
116 毫欧 @ 400mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.23 nC @ 4.5 V
-6V
234 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
CSD25483F4
CSD25483F4
MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
Texas Instruments
14,178
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60971
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.6A(Ta)
1.8V,4.5V
205 毫欧 @ 500mA,8V
1.2V @ 250µA
0.959 nC @ 4.5 V
-12V
198 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
YZF-9-BGA Pkg
CSD22206WT
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Texas Instruments
14,901
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
250 : ¥4.87400
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
5A(Ta)
2.5V,4.5V
5.7 毫欧 @ 2A,4.5V
1.05V @ 250µA
14.6 nC @ 4.5 V
-6V
2275 pF @ 4 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
9-DSBGA
9-UFBGA,DSBGA
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。