单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedGoford SemiconductorMicrochip TechnologyTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）袋
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
530mA（Tj）3.5A（Ta）4A（Tc）8.6A（Ta）52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2V，5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.5 毫欧 @ 13A，10V17 毫欧 @ 10A，10V28 毫欧 @ 3A，4.5V57 毫欧 @ 3.5A，10V1.3 欧姆 @ 500mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.5 nC @ 4.5 V14 nC @ 4.5 V14.3 nC @ 10 V47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
200 pF @ 20 V555 pF @ 15 V817 pF @ 15 V1087 pF @ 6 V2230 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
900mW（Ta）1W（Tc）1.25W（Ta）1.8W（Tc）37W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PDFN（3.1x3.1）POWERDI3333-8SOT-23SOT-23-3TO-92-3
封装/外壳
8-PowerVDFN8-PowerWDFNTO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2306CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
68,463
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77239
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
57 毫欧 @ 3.5A，10V
3V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±20V
555 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TN0702N3-G
MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Microchip Technology
2,240
现货
1 : ¥12.48000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
530mA（Tj）
2V，5V
1.3 欧姆 @ 500mA，5V
1V @ 1mA
-
±20V
200 pF @ 20 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
PowerDI3333-8
DMP3008SFG-7
MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
3,238
现货
30,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.32556
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.6A（Ta）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 10A，10V
2.1V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
2230 pF @ 15 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
11,910
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.64843
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
52A（Tc）
4.5V，10V
8.5 毫欧 @ 13A，10V
2.5V @ 250µA
14.3 nC @ 10 V
±20V
817 pF @ 15 V
-
37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PDFN（3.1x3.1）
8-PowerWDFN
GT1003A
G06P01E
P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V,RD(MAX)<4
Goford Semiconductor
9,292
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64179
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4A（Tc）
1.8V，4.5V
28 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±10V
1087 pF @ 6 V
-
1.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。