单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.6A(Tc)13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
160 毫欧 @ 2.8A,10V205 毫欧 @ 7.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.77 nC @ 10 V58 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
225 pF @ 50 V760 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
10.42W(Tc)66W(Tc)
供应商器件封装
SOT-223-4TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRFR5410TRPBF
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Infineon Technologies
21,627
现货
1 : ¥11.58000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.78073
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
13A(Tc)
10V
205 毫欧 @ 7.8A,10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
66W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-223-4
FDT1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
onsemi
8,818
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.37019
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
5.6A(Tc)
5V,10V
160 毫欧 @ 2.8A,10V
2.8V @ 250µA
3.77 nC @ 10 V
±20V
225 pF @ 50 V
-
10.42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。