单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
OptiMOS™QFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
8 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
440mA（Tc）3A（Tc）12A（Tc）19A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.9 毫欧 @ 50A，10V11 毫欧 @ 9.7A，4.5V1.41Ohm @ 2A，1.5V1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250µA1V @ 250µA2.8V @ 36µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.1 nC @ 4.5 V9 nC @ 10 V27 nC @ 10 V32 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±5V±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
140 pF @ 25 V270 pF @ 25 V1800 pF @ 4 V2000 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
430mW（Tc）2.5W（Ta），69W（Tc）3.5W（Ta），19W（Tc）42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）PG-TDSON-8-6PowerPAK® SC-70-6SC-70-6
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-PowerTDFN8-PowerWDFNPowerPAK® SC-70-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC039N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Infineon Technologies
15,159
现货
1 : ¥14.12000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.14317
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
19A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
3.9 毫欧 @ 50A，10V
2.8V @ 36µA
27 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
SC-70-6
SQ1464EEH-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Vishay Siliconix
7,673
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07059
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
440mA（Tc）
1.5V
1.41Ohm @ 2A，1.5V
1V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±8V
140 pF @ 25 V
-
430mW（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
PowerPak SC-70-6 Single
SIA414DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
17,070
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.77081
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
12A（Tc）
1.2V，4.5V
11 毫欧 @ 9.7A，4.5V
800mV @ 250µA
32 nC @ 5 V
±5V
1800 pF @ 4 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
8-MLP, Power33
FDMC2523P
MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
onsemi
3,999
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.70160
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
3A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±30V
270 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。