单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Ta），40A（Tc）8A（Tc）33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 20A，10V36 毫欧 @ 5.3A，10V94 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.5V @ 12µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V25 nC @ 10 V48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
755 pF @ 25 V1700 pF @ 50 V2135 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），63W（Tc）39W（Tc）235W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8PowerPAK® 1212-8TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSZ160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
41,640
现货
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.04048
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
8A（Ta），40A（Tc）
6V，10V
16 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 12µA
25 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 50 V
-
2.1W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SQS460EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
4,782
现货
1 : ¥10.18000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.20254
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8A（Tc）
4.5V，10V
36 毫欧 @ 5.3A，10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
755 pF @ 25 V
-
39W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-263
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥25.04000
剪切带（CT）
800 : ¥10.18868
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
33A（Tc）
10V
94 毫欧 @ 16.5A，10V
5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
2135 pF @ 25 V
-
235W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。