单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 20A，10V5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 36µA2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.6 nC @ 4.5 V75 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2410 pF @ 20 V3100 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
39W（Tc）69W（Tc）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8 PowerTDFN
BSZ040N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
71,407
现货
1 : ¥13.22000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.73116
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 36µA
6.6 nC @ 4.5 V
±20V
3100 pF @ 30 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIR418DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
22,500
现货
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.41403
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
5 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 20 V
-
39W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。