单 FET,MOSFET

结果 : 20
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-Dual Cool™, PowerTrench®HEXFET®MDmesh™ K5OptiMOS™TrenchFET®TrenchFET® Gen IVTrenchFET® Gen V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
55 V60 V70 V100 V1050 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A(Tc)8.6A(Ta)12.9A(Ta),42.3A(Tc)14.5A(Ta),47A(Tc)14.5A(Ta),60A(Tc)16.1A(Ta),65.8(Tc)19A(Tc)23.2A(Ta),95A(Tc)28A28A(Tc)31A(Ta),126A(Tc)40A(Tc)60A(Tc)93.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3.3V,4.5V4.5V,10V6V,10V7.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.6 毫欧 @ 20A,10V4 毫欧 @ 50A,10V4.8 毫欧 @ 20A,10V6.6 毫欧 @ 20A,10V7.2 毫欧 @ 20A,10V7.5 毫欧 @ 14.5A,10V8 毫欧 @ 15A,10V8.7 毫欧 @ 20A,10V9.7mOhm @ 14.5A,10V10.8 毫欧 @ 20A,10V10.9 毫欧 @ 10A,4.5V14 毫欧 @ 10A,10V14.5 毫欧 @ 14.4A,10V33 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 250µA2.5V @ 250µA2.7V @ 200µA2.7V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA3.8V @ 95µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10 nC @ 10 V19 nC @ 4.5 V19.3 nC @ 10 V19.5 nC @ 10 V35 nC @ 10 V37 nC @ 10 V44 nC @ 10 V49 nC @ 10 V52 nC @ 10 V58 nC @ 10 V72 nC @ 10 V76 nC @ 10 V80 nC @ 10 V81 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
115 pF @ 100 V550 pF @ 50 V620 pF @ 25 V1050 pF @ 30 V1630 pF @ 50 V1660 pF @ 35 V1880 pF @ 30 V1930 pF @ 50 V2440 pF @ 50 V2450 pF @ 50 V2866 pF @ 50 V2870 pF @ 50 V3135 pF @ 50 V3750 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
1.9W(Ta)2.5W(Ta),139W(Tc)3W(Ta)3.2W(Ta),125W(Tc)3.6W(Ta),39W(Tc)3.7W(Ta),52W(Tc)3.8W(Ta),68W(Tc)5W(Ta),62.5W(Tc)5W(Ta),83.3W(Tc)5.2W(Ta),83W(Tc)5.4W(Ta),83W(Tc)6.25W(Ta),104W(Tc)6.25W(Ta),125W(Tc)60W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
8-HSOP8-PQFN(5x6)D2PAKDFN5060DPAKPG-TDSON-8-7PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
20结果

显示
/ 20
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
17,564
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.05711
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
70 V
12.9A(Ta),42.3A(Tc)
3.3V,4.5V
10.9 毫欧 @ 10A,4.5V
1.6V @ 250µA
19 nC @ 4.5 V
±12V
1660 pF @ 35 V
-
3.6W(Ta),39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9Z34NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Infineon Technologies
3,295
现货
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
800 : ¥5.65296
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
19A(Tc)
10V
100 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MFG_DPAK(TO252-3)
STD2N105K5
MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
STMicroelectronics
5,005
现货
1 : ¥15.27000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.90146
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1050 V
1.5A(Tc)
10V
8 欧姆 @ 750mA,10V
5V @ 100µA
10 nC @ 10 V
±30V
115 pF @ 100 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK SO-8DC
SIDR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Vishay Siliconix
19,694
现货
1 : ¥16.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.29518
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
95A(Tc)
4.5V,10V
6.6 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
2866 pF @ 50 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR668ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
7,887
现货
1 : ¥18.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.18846
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
93.6A(Tc)
7.5V,10V
4.8 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
3750 pF @ 50 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7461DP-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
23,208
现货
1 : ¥18.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.54468
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.6A(Ta)
4.5V,10V
14.5 毫欧 @ 14.4A,10V
3V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7489DP-T1-E3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
47,567
现货
1 : ¥21.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥9.48427
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
28A(Tc)
4.5V,10V
41 毫欧 @ 7.8A,10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
5.2W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-Power TDFN
BSC040N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Infineon Technologies
52,578
现货
1 : ¥22.00000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.54166
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
6V,10V
4 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 95µA
72 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIR804DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,899
现货
1 : ¥22.49000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.14598
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
60A(Tc)
4.5V,10V
7.2 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
76 nC @ 10 V
±20V
2450 pF @ 50 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7178DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,882
现货
1 : ¥23.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.67091
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
60A(Tc)
10V
14 毫欧 @ 10A,10V
4.5V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
2870 pF @ 50 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-PQFN TOP
FDMS86101DC
MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
onsemi
5,621
现货
1 : ¥34.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥16.74332
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
14.5A(Ta),60A(Tc)
6V,10V
7.5 毫欧 @ 14.5A,10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
3135 pF @ 50 V
-
3.2W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
8-PowerTDFN
MCAC28P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
3,743
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.68658
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
28A
-
40 毫欧 @ 20A,10V
2.7V @ 250µA
19.3 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 30 V
-
60W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SIS892ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
14,676
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.50871
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
28A(Tc)
4.5V,10V
33 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
19.5 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 50 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK SO-8 Single
SIR510DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Vishay Siliconix
11,738
现货
1 : ¥17.73000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.99547
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
31A(Ta),126A(Tc)
7.5V,10V
3.6 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
4980 pF @ 50 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8DC
SIDR170DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Vishay Siliconix
9,067
现货
1 : ¥20.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥9.19534
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
23.2A(Ta),95A(Tc)
4.5V,10V
4.8 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
6195 pF @ 50 V
-
6.25W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR106ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
Vishay Siliconix
10,273
现货
1 : ¥12.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.59682
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
16.1A(Ta),65.8(Tc)
7.5V,10V
8 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±20V
2440 pF @ 50 V
-
5W(Ta),83.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
HSOP8
RS1L145GNTB
MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP
Rohm Semiconductor
594
现货
1 : ¥16.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.46613
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
14.5A(Ta),47A(Tc)
4.5V,10V
9.7mOhm @ 14.5A,10V
2.7V @ 200µA
37 nC @ 10 V
±20V
1880 pF @ 30 V
-
3W(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥16.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.44405
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
60A(Tc)
4.5V,10V
6.6 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
2866 pF @ 50 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR876ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.95526
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
40A(Tc)
4.5V,10V
10.8 毫欧 @ 20A,10V
2.8V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±20V
1630 pF @ 50 V
-
5W(Ta),62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR882DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥19.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.93287
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
60A(Tc)
4.5V,10V
8.7 毫欧 @ 20A,10V
2.8V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
1930 pF @ 50 V
-
5.4W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 20

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。