单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
OptiMOS™QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
80 V120 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A(Tc)8.6A(Ta),44A(Tc)11A(Ta),55A(Tc)21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12.3 毫欧 @ 33A,10V19 毫欧 @ 39A,10V52 毫欧 @ 18A,10V1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 33µA4V @ 35µA4V @ 42µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9 nC @ 10 V12 nC @ 10 V25 nC @ 10 V34 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
270 pF @ 25 V890 pF @ 75 V1870 pF @ 40 V2300 pF @ 60 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),66W(Tc)42W(Tc)57W(Tc)69W(Tc)
供应商器件封装
8-MLP(3.3x3.3)PG-TDSON-8-1PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-1
BSC190N12NS3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Infineon Technologies
20,872
现货
1 : ¥11.33000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.47671
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
8.6A(Ta),44A(Tc)
10V
19 毫欧 @ 39A,10V
4V @ 42µA
34 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 60 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Infineon Technologies
65,421
现货
1 : ¥12.40000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.87771
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
11A(Ta),55A(Tc)
6V,10V
12.3 毫欧 @ 33A,10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta),66W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Infineon Technologies
14,325
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.24529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
21A(Tc)
8V,10V
52 毫欧 @ 18A,10V
4V @ 35µA
12 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 75 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8-MLP, Power33
FDMC2523P
MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
onsemi
3,999
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.70160
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
3A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±30V
270 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。