单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-SIPMOS®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）220mA（Ta）1A（Ta）1.2A（Ta），1.6A（Tc）5.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
36 毫欧 @ 4.5A，10V345 毫欧 @ 1.25A，10V520 毫欧 @ 1A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA1.8V @ 50µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V2.8 nC @ 7 V3.5 nC @ 5 V4.1 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V68 pF @ 25 V140 pF @ 25 V210 pF @ 30 V335 pF @ 15 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）360mW（Ta）700mW（Ta）1W（Ta），1.7W（Tc）1.25W（Ta），2.1W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TSMT3
封装/外壳
SC-96TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
200,920
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48928
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS169H6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
68,020
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11664
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
0V，10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
1.8V @ 50µA
2.8 nC @ 7 V
±20V
68 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2366DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
8,274
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.22304
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Tc）
10V
36 毫欧 @ 4.5A，10V
2.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
335 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta），2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSMT3
RQ5P010SNTL
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Rohm Semiconductor
11,525
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.47776
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Ta）
4V，10V
520 毫欧 @ 1A，10V
2.5V @ 1mA
3.5 nC @ 5 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
SOT-23(TO-236)
SI2309CDS-T1-BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
10,278
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16661
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.2A（Ta），1.6A（Tc）
4.5V，10V
345 毫欧 @ 1.25A，10V
3V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±20V
210 pF @ 30 V
-
1W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。