单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Microchip TechnologyonsemiVishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
80 V100 V150 V220 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120mA（Tj）2.2A（Ta）13.5A（Ta）41A（Ta），351A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.05 毫欧 @ 50A，10V8.5 毫欧 @ 13.5A，10V135 毫欧 @ 3.4A，10V12 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA2.5V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 650µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V50 nC @ 10 V166 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
110 pF @ 25 V2500 pF @ 50 V11200 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）1.5W（Ta）3.1W（Ta）4.2W（Ta），311W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-HPSOF8-SOICPowerPAK® 1212-8TO-236AB（SOT23）
封装/外壳
8-PowerSFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
AOSP66920
MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
37,634
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.26705
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13.5A（Ta）
4.5V，10V
8.5 毫欧 @ 13.5A，10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-HPSOF Top View
NTBLS1D1N08H
MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
onsemi
1,934
现货
1 : ¥50.90000
剪切带（CT）
2,000 : ¥26.46020
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
41A（Ta），351A（Tc）
10V
1.05 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 650µA
166 nC @ 10 V
±20V
11200 pF @ 40 V
-
4.2W（Ta），311W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
SOT23 PKG
TP5322K1-G
MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB
Microchip Technology
5,227
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.59749
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
220 V
120mA（Tj）
4.5V，10V
12 欧姆 @ 200mA，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
110 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB（SOT23）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SI7818DN-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
89
现货
1 : ¥18.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.14251
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
2.2A（Ta）
6V，10V
135 毫欧 @ 3.4A，10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。