单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIIIU-MOSVIU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）200mA（Ta）330mA（Ta）760mA（Tj）800mA（Ta）5A（Ta）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，4V4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V45 毫欧 @ 4A，4.5V235 毫欧 @ 800mA，4.5V360 毫欧 @ 350mA，4.5V1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V1.31 欧姆 @ 100mA，4.5V8 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 100µA1V @ 1mA1.2V @ 250µA1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 4 V1.4 nC @ 4.5 V2.1 nC @ 4.5 V11 nC @ 4.5 V12.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13 pF @ 5 V25 pF @ 10 V43 pF @ 10 V55 pF @ 10 V115 pF @ 10 V156 pF @ 5 V840 pF @ 10 V940 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）301mW（Tj）1W（Ta）1.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
EMT3EMT3F（SOT-416FL）SC-75，SOT-416SOT-23-3SOT-23FSSM
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式SC-75，SOT-416SC-89，SOT-490SOT-23-3 扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,628,955
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39492
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.5V，4.5V
235 毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,237,358
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19539
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
767,389
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.73442
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.5V，4.5V
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SC−75-3_463
NTA4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
onsemi
149,689
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.61450
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
760mA（Tj）
1.8V，4.5V
360 毫欧 @ 350mA，4.5V
1.2V @ 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
301mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-75，SOT-416
SC-75，SOT-416
SOT-23-3
AO3415A
MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
172,411
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86085
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5A（Ta）
1.5V，4.5V
45 毫欧 @ 4A，4.5V
900mV @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±8V
940 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
458,815
现货
1 : ¥1.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27694
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
330mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.31 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 1mA
1.2 nC @ 4 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
2SA2018TL
2SK3019TL
MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Rohm Semiconductor
20,089
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52948
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
8 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13 pF @ 5 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3
SC-75，SOT-416
EMT3F
RE1C002ZPTL
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
10,247
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57761
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
4.5V
1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 100µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
115 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。