单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A（Tj）5.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
42 毫欧 @ 3.8A，4.5V57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
850mV @ 250µA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.5 nC @ 4.5 V15 nC @ 8 V
功率耗散（最大值）
710mW（Ta）1.25W（Ta），1.8W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2302DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
31,119
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.05113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.9A（Tj）
2.5V，4.5V
57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2336DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
30,060
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34537
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.2A（Tc）
1.8V，4.5V
42 毫欧 @ 3.8A，4.5V
1V @ 250µA
15 nC @ 8 V
±8V
560 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta），1.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。