单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.9A(Tc)8.5A(Ta)16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.5 毫欧 @ 10A,10V21 毫欧 @ 10A,10V32 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13.2 nC @ 10 V23 nC @ 10 V36 nC @ 8 V
Vgs(最大值)
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
697 pF @ 15 V880 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
1W(Ta)1W(Ta),1.7W(Tc)3.5W(Ta),27.7W(Tc)
供应商器件封装
POWERDI3333-8PowerPAK® 1212-8SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Vishay Siliconix
23,534
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70205
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.9A(Tc)
1.8V,4.5V
32 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
36 nC @ 8 V
±8V
-
-
1W(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SIS438DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
48,009
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.20638
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
16A(Tc)
4.5V,10V
9.5 毫欧 @ 10A,10V
2.3V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 10 V
-
3.5W(Ta),27.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerDI3333-8
DMN3018SFG-13
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
14,305
现货
12,000
工厂
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.09420
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 250µA
13.2 nC @ 10 V
±25V
697 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。