单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.
系列
-HEXFET®HiPerFET™, Polar
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
55 V100 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）12A（Tc）75A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 75A，10V900 毫欧 @ 6A，10V10 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA4V @ 250µA6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
56 nC @ 10 V95 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 25 V2840 pF @ 25 V3080 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
330mW（Ta）140W（Tc）380W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO263-3SOT-23-3TO-247AD（IXFH）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZVN3310FTA
MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3
Diodes Incorporated
7,347
现货
984,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.86650
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100mA（Ta）
10V
10 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-247_IXFH
IXFH12N90P
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Littelfuse Inc.
1,149
现货
900
工厂
1 : ¥56.40000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
900 V
12A（Tc）
10V
900 毫欧 @ 6A，10V
6.5V @ 1mA
56 nC @ 10 V
±30V
3080 pF @ 25 V
-
380W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AD（IXFH）
TO-247-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
AUIRF1010ZSTRL
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
800 : ¥18.11483
卷带（TR）
卷带（TR）
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
75A（Tc）
-
7.5 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 250µA
95 nC @ 10 V
-
2840 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。