单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-Dual Cool™, PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A（Ta），254A（Tc）150A（Tc）398.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V7.5V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.81 毫欧 @ 50A，10V1.35 毫欧 @ 36A，10V2.1 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
165 nC @ 10 V227 nC @ 10 V273 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10680 pF @ 40 V12300 pF @ 25 V20720 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），156W（Tc）5W375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFNW（8.3x8.4）8-Dual Cool™88TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263 (D2Pak)
SUM60020E-GE3
MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Vishay Siliconix
2,254
现货
1 : ¥24.55000
剪切带（CT）
800 : ¥14.81211
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
150A（Tc）
7.5V，10V
2.1 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
227 nC @ 10 V
±20V
10680 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
8-TDFN
NTMTS001N06CLTXG
MOSFET N-CH 60V 398.2A
onsemi
1,999
现货
1 : ¥40.39000
剪切带（CT）
3,000 : ¥19.64673
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
398.2A（Tc）
4.5V，10V
0.81 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
12300 pF @ 25 V
-
5W
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-DFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMT80080DC
MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
onsemi
9,439
现货
1 : ¥40.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥19.92697
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
36A（Ta），254A（Tc）
8V，10V
1.35 毫欧 @ 36A，10V
4V @ 250µA
273 nC @ 10 V
±20V
20720 pF @ 40 V
-
3.2W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-Dual Cool™88
8-PowerVDFN
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。