单 FET，MOSFET

结果 : 15
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™TrenchFET®UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
100 V200 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.1A（Tc）4.4A（Tc）14A（Tc）17A（Tc）25A（Tc）33A（Tc）34A（Tc）44A（Tc）45A（Tc）51A（Tc）52A（Tc）64A（Tc）65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 64A，10V22 毫欧 @ 52A，10V30 毫欧 @ 15A，10V32 毫欧 @ 34A，10V44 毫欧 @ 16A，10V58 毫欧 @ 20A，10V60 毫欧 @ 25A，10V65 毫欧 @ 25.5A，10V69 毫欧 @ 22A，10V94 毫欧 @ 16.5A，10V100 毫欧 @ 17A，10V280 毫欧 @ 8.4A，10V1 欧姆 @ 2.5A，10V1.1 欧姆 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA4V @ 137µA4V @ 250µA4V @ 270µA4V @ 54µA4V @ 90µA5V @ 1mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V19 nC @ 10 V29 nC @ 10 V38 nC @ 10 V43 nC @ 10 V48 nC @ 10 V61 nC @ 10 V68 nC @ 10 V71 nC @ 10 V75 nC @ 10 V86 nC @ 10 V120 nC @ 10 V140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
260 pF @ 25 V680 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V1500 pF @ 25 V1960 pF @ 25 V2135 pF @ 25 V2350 pF @ 100 V2870 pF @ 25 V3680 pF @ 100 V4050 pF @ 25 V5000 pF @ 25 V7000 pF @ 25 V7100 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
1.56W（Ta），40W（Tc）3.1W（Ta），125W（Tc）3.1W（Ta），50W（Tc）3.75W（Ta），375W（Tc）35W（Tc）107W（Tc）130W（Tc）136W（Tc）214W（Tc）235W（Tc）300W（Tc）307W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKLPTSPG-TO220-3-1PG-TO252-3PG-TO263-3PG-TO263-3-2PG-TSON-8-3TO-220-3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-220-3TO-220-3 全封装，隔离接片TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Infineon Technologies
9,450
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
800 : ¥6.64328
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33A（Tc）
10V
44 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB17N25S3100ATMA1
MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Infineon Technologies
7,735
现货
1 : ¥18.55000
剪切带（CT）
1,000 : ¥8.81331
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
17A（Tc）
10V
100 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 54µA
19 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 25 V
-
107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
FDB44N25TM
MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
onsemi
4,849
现货
1 : ¥21.18000
剪切带（CT）
800 : ¥11.84551
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
44A（Tc）
10V
69 毫欧 @ 22A，10V
5V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±30V
2870 pF @ 25 V
-
307W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO252-3
IPD600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Infineon Technologies
7,294
现货
1 : ¥22.58000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.19339
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
25A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220-3
IPP600N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Infineon Technologies
7,383
现货
1 : ¥23.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
25A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-263 (D2Pak)
SQM10250E_GE3
MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Vishay Siliconix
9,550
现货
1 : ¥25.37000
剪切带（CT）
800 : ¥15.31416
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
65A（Tc）
7.5V，10V
30 毫欧 @ 15A，10V
3.5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
4050 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Infineon Technologies
6,740
现货
1 : ¥28.49000
剪切带（CT）
1,000 : ¥14.74399
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
34A（Tc）
10V
32 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PG-TSON-8-3
BSC220N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Infineon Technologies
10,839
现货
1 : ¥38.01000
剪切带（CT）
5,000 : ¥17.77012
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
52A（Tc）
10V
22 毫欧 @ 52A，10V
4V @ 137µA
43 nC @ 10 V
±20V
3680 pF @ 100 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Infineon Technologies
2,172
现货
1 : ¥59.85000
剪切带（CT）
1,000 : ¥33.94828
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
64A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 64A，10V
4V @ 270µA
86 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IRF644SPBF
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Vishay Siliconix
418
现货
1 : ¥28.32000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
14A（Tc）
10V
280 毫欧 @ 8.4A，10V
4V @ 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM45N25-58-E3
MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Vishay Siliconix
8,874
现货
1 : ¥35.47000
剪切带（CT）
800 : ¥21.39978
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
45A（Tc）
6V，10V
58 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±30V
5000 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220AB Full Pack
IRFI9634GPBF
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
Vishay Siliconix
2,862
现货
1 : ¥17.16000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
4.1A（Tc）
10V
1 欧姆 @ 2.5A，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 25 V
-
35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
LPTS
RCJ510N25TL
MOSFET N-CH 250V 51A LPTS
Rohm Semiconductor
5,012
现货
1 : ¥27.50000
剪切带（CT）
1,000 : ¥18.29760
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
51A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 25.5A，10V
5V @ 1mA
120 nC @ 10 V
±30V
7000 pF @ 25 V
-
1.56W（Ta），40W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LPTS
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IRF624SPBF
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Vishay Siliconix
1,699
现货
1 : ¥11.66000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
4.4A（Tc）
10V
1.1 欧姆 @ 2.6A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥25.04000
剪切带（CT）
800 : ¥10.18868
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
33A（Tc）
10V
94 毫欧 @ 16.5A，10V
5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
2135 pF @ 25 V
-
235W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 15

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。