单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8 毫欧 @ 100A，10V3.8 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 35µA4V @ 110µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
60 nC @ 10 V134 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4690 pF @ 25 V10740 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
71W（Tc）158W（Tc）
供应商器件封装
PG-TO252-3-313PG-TO263-3
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Infineon Technologies
2,734
现货
1 : ¥24.96000
剪切带（CT）
1,000 : ¥12.88217
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
10V
1.8 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 110µA
134 nC @ 10 V
±20V
10740 pF @ 25 V
-
158W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO252-3
IPD90N04S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥11.41000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.71075
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
90A（Tc）
4.5V，10V
3.8 毫欧 @ 90A，10V
2.2V @ 35µA
60 nC @ 10 V
+20V，-16V
4690 pF @ 25 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。